Vantagens de um carregador GaN (Nitreto de Gálio)

Os carregadores GaN são fisicamente menores do que os carregadores atuais. Isso ocorre porque os carregadores de nitreto de gálio não exigem tantos componentes quanto os carregadores de silício. O material é capaz de conduzir tensões muito mais altas do que o silício.

Os carregadores de GaN são mais eficientes na transferência de corrente, isso significa que menos energia é perdida em calor. Então, mais energia vai para o que você está carregando. Quando os componentes são mais eficientes na transferência de energia para seus dispositivos, você geralmente necessita utilizar menos componentes.

Como resultado, os carregadores de GaN serão visivelmente menores. Existem também outros benefícios, como uma frequência de comutação mais alta que permite uma transferência de energia sem fio mais rápida e maiores “intervalos de ar” entre o carregador e o dispositivo.

Atualmente, os semicondutores de GaN geralmente custam mais do que os de silício. No entanto, devido à eficiência aprimorada, há uma dependência reduzida de materiais adicionais, como dissipadores de calor, filtros e outros elementos eletrônicos. Um fabricante estima uma economia de custos de 10 a 20 por cento nesta área. Isso pode melhorar ainda mais quando o benefício econômico da produção em grande escala começar.

Você pode até economizar um pouco de dinheiro na conta de energia, já que carregadores mais eficientes significam menos energia desperdiçada. Não espere ver uma grande mudança com dispositivos de baixo consumo, como laptops e smartphones, por exemplo.

O que é nitreto de gálio (GaN)?

O nitreto de gálio (GaN) é um material semicondutor que ganhou destaque na década de 1990 com a fabricação de LEDs. GaN foi usado para criar os primeiros LEDs brancos, lasers azuis e telas de LED coloridas que você podia ver à luz do dia. Em leitores de DVD Blu-ray, GaN produz a luz azul que lê os dados do DVD.

Parece que o GaN em breve substituirá o silício em muitas áreas. Os fabricantes de silício trabalharam incansavelmente por décadas para melhorar os transistores baseados em silício. De acordo com a Lei de Moore (em homenagem ao cofundador da Fairchild Semiconductor e, mais tarde, ao CEO da Intel, Gordon Moore), o número de transistores em um circuito integrado de silício dobra a cada dois anos.

Essa observação foi feita em 1965 e, em grande parte, soou verdadeira nos últimos 50 anos. Em 2010, porém, o avanço dos semicondutores desacelerou abaixo desse ritmo pela primeira vez. Muitos analistas (e o próprio Moore) prevêem que a Lei de Moore estará obsoleta em 2025.

A produção de transistores GaN aumentou em 2006. Os processos de fabricação aprimorados significam que os transistores GaN podem ser fabricados nas mesmas instalações que os do tipo de silício. Isso mantém os custos baixos e incentiva mais fabricantes de silício a usar GaN para produzir transistores.

Por que o nitreto de gálio é superior ao silício?

Os benefícios do GaN em comparação com o silício se resumem à eficiência energética. Um fabricante especializado em nitreto de gálio, explicou:

“Todos os materiais semicondutores têm o que é chamado de bandgap (banda proibida, em português). Esta é uma faixa de energia em um sólido onde nenhum elétron pode existir. Simplificando, um bandgap está relacionado a quão bem um material sólido pode conduzir eletricidade. O nitreto de gálio tem uma diferença de banda de 3,4 eV, em comparação com a diferença de banda de 1,12 eV do silício. O maior intervalo de banda do nitreto de gálio significa que ele pode sustentar tensões e temperaturas mais altas do que o silício. ”

Outro fabricante de transistores GaN, afirmou que o Nitreto de Gálio é capaz de conduzir elétrons 1.000 vezes mais eficientemente do que o silício, e ainda com custos de fabricação mais baixos.

Uma maior eficiência de bandgap significa que a corrente pode passar através de um chip GaN mais rápido do que um de silício. Isso pode resultar em recursos de processamento mais rápidos no futuro. Simplificando, os chips feitos de GaN serão mais rápidos, menores, mais eficientes em termos de energia e (eventualmente) mais baratos do que os feitos de silício.

Onde você pode comprar um carregador GaN no Brasil hoje?

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