O SSD CXL Memory-Semantic da Samsung traz um aumento de desempenho de 20 vezes

Samsung revela outro dispositivo CXL antes do lançamento do AMD Genoa, Intel Sapphire Rapids.

A Samsung anunciou seu SSD semântico de memória que combina flash e DRAM para fornecer uma melhoria de desempenho de 20 vezes em comparação com um SSD tradicional. Unidades de estado sólido modernas com interface PCIe Gen4 ou PCIe Gen5 permitem uma taxa de transferência de leitura/gravação sequencial extremamente alta e desempenho de acesso aleatório. Mas para muitos aplicativos que exigem desempenho, isso não é suficiente, pois eles precisam de dispositivos de armazenamento explicitamente adaptados para seus padrões de uso. Portanto, para atender aos requisitos de cargas de trabalho de inteligência artificial (IA) e aprendizado de máquina (ML), a Samsung está recorrendo ao seu novo SSD conectado a CXL.

Os aplicativos de IA e ML geralmente processam grandes conjuntos de dados, mas fazem isso em blocos de dados relativamente pequenos, e é por isso que os SSDs tradicionais de data center otimizados para cargas de trabalho mistas geralmente não são os melhores dispositivos de armazenamento para esses tipos de cargas de trabalho.

Para lidar com essas cargas de trabalho, a Samsung desenvolveu seu SSD semântico de memória especial que combina um enorme cache DRAM integrado, armazenamento NAND tradicional e uma interface PCIe Gen5 com a tecnologia CXL na parte superior. Os aplicativos podem gravar dados no cache DRAM em velocidades DRAM e com baixa latência habilitada pelo protocolo de memória CXL. Em seguida, o controlador proprietário da Samsung (ou controladores) da unidade transfere os dados para a memória NAND. O resultado é um aumento de desempenho de leitura/gravação aleatório de 20 vezes em comparação com SSDs tradicionais.

O protocolo CXL com coerência de cache promete permitir aumento substancial de desempenho para aplicativos que usam vários módulos de expansão de memória e aceleradores de computação, permitindo coerência de memória/cache e reduzindo drasticamente a latência de acesso à memória por vários dispositivos de computação. Com seu SSD semântico de memória, a Samsung aproveita a DRAM de alto desempenho (como outros dispositivos Tipo 3/CXL) e a memória de armazenamento NAND de alta capacidade. Em grande medida, o Memory-Semantic SSD é uma solução de armazenamento exclusiva adaptada para ler e gravar blocos de dados de tamanho pequeno em velocidades muito altas.

A Samsung não anunciou qual versão do protocolo CXL ela suporta, mas a recém-anunciada revisão CXL 3.0 suportará dispositivos de mídia mista (como DRAM e armazenamento) que podem ser conectados à malha. No entanto, esses novos dispositivos Global Fabric Attached Memory (GFAM) foram definidos recentemente, portanto, embora o dispositivo da Samsung atenda à descrição geral desse tipo de dispositivo, provavelmente não veremos a funcionalidade GFAM expandida até as futuras gerações do SSD.

A Samsung não forneceu detalhes ou especificações de seus SSDs semânticos de memória, portanto, não sabemos que tipo de DRAM, 3D NAND e controladora a empresa usa. Na verdade, a empresa ainda não divulgou os números reais de desempenho da unidade.

Talvez seja porque o SSD Memory-Semantic é adaptado para plataformas de próxima geração (como Genoa da AMD e Sapphire Rapids da Intel) que serão lançados nos próximos anos, e a Samsung não pode divulgar números de desempenho relevantes, pois são confidenciais por enquanto. Outra razão pela qual a Samsung não publica nem mesmo números ou especificações brutas de desempenho é que seu SSD semântico de memória também será lançado nos próximos anos. Como resultado, algumas de suas especificações podem mudar no momento em que estiverem disponíveis.